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英飛凌推出首批采用200毫米晶圓制造的SiC器件
英飛凌推出首批采用200毫米晶圓制造的SiC器件2/19/2025,光纖在線訊,英飛凌在200mmSiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200mmSiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造,將為高壓應用領域提供先進的SiC功率技術(shù),包括可再生能源系統(tǒng)、鐵路運輸和電動汽車等。此外,英飛凌位......
2025-02-19 10:32:50