7/19/2023，光纖在線訊，7月11日，慕尼黑上海光博會火熱開展，同期長光華芯參股公司鎵銳芯光簽約發(fā)布儀式圓滿舉行。長光華芯攜手鎵銳芯光，共同進軍可見光領域，填補國內(nèi)在氮化鎵藍綠光激光器領域產(chǎn)業(yè)化的空白。


簽約儀式現(xiàn)場

     蘇州長光華芯光電技術股份有限公司董事長/總經(jīng)理閔大勇致辭，合作成立鎵銳芯光符合長光華芯“一平臺、一支點、橫向擴展、縱向延伸”發(fā)展戰(zhàn)略的戰(zhàn)略需求和重要實踐，進一步拓展了長光華芯半導體激光器芯片的材料體系、波譜范圍和市場應用。鎵銳芯光團隊是國內(nèi)從事藍綠光激光器研究具有頂尖水平的團隊，正處于研究成果產(chǎn)業(yè)化轉型關鍵期。我們強強合作，共同開拓可見光領域無限發(fā)展前景，填補國內(nèi)又一項激光領域的“芯”空白。

     蘇州鎵銳芯光科技有限公司董事長/總經(jīng)理劉建平致辭，感謝各位新老朋友的支持。鎵銳芯光的成立對我和我們團隊意義重大。我親歷了中國GaN激光器發(fā)展全過程。2004年，在中科院半導體所讀博期間，我的博士導師楊輝研究員帶領團隊研制出了國內(nèi)第一支GaN紫光激光器，我的博士課題也與激光器結構有關。2008年，我在美國佐治亞理工學院做博士后研究期間研制出GaN藍光激光器�；貒�后，我在中科院蘇州納米所繼續(xù)GaN激光器的研究，期間GaN激光器應用漸熱，我們團隊也成長為GaN激光器研究領域的知名團隊，研發(fā)的藍光和綠光激光器光功率分別達到了1.2W和7.5W，填補了國內(nèi)空白�，F(xiàn)在，我們的藍綠光激光器正式吹響了向產(chǎn)業(yè)化進軍的號角。我們相信，依托我們領先的GaN激光器技術實力和長光華芯成熟的激光芯片IDM全流程工藝平臺和生產(chǎn)線，未來我們必將打破氮化鎵激光芯片依賴進口的局面，實現(xiàn)氮化鎵激光芯片的國產(chǎn)化替代。


▲現(xiàn)場展示的藍綠光激光芯片

關于蘇州鎵銳芯光科技有限公司

     蘇州長光華芯光電技術股份有限公司對外投資設立參股公司——蘇州鎵銳芯光科技有限公司，該公司是在前期由長光華芯和中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所聯(lián)合建設的氮化鎵激光器聯(lián)合實驗室基礎上成立的成果轉化和產(chǎn)業(yè)化平臺公司，受到中央電視臺新聞聯(lián)播關注報道。


▲央視新聞聯(lián)播報道

成立背景

     第三代半導體材料（寬禁帶半導體）氮化鎵（GaN）以及其合金氮化物是直接帶隙半導體，其可調(diào)節(jié)的能帶寬度使其發(fā)光波長覆蓋從深紫外、可見光直至紅外的寬廣的波譜范圍。氮化鎵半導體激光器具有直接發(fā)光、高效率、高穩(wěn)定性等優(yōu)勢，藍光和綠光波段的GaN激光器產(chǎn)品，已經(jīng)在激光加工（有色金屬加工、激光直寫）、激光顯示（激光大屏電視，XR微投影）、激光照明（車載大燈）、特殊通信等領域具有廣泛應用，總體市場需求超百億元且呈現(xiàn)較高的復合增長趨勢。

     然而，長期以來，氮化鎵激光器芯片產(chǎn)品基本全部依賴進口，是亟需實現(xiàn)自主可控的卡脖子技術。

填補國內(nèi)空白

     鎵銳芯光團隊是國內(nèi)最早從事氮化鎵基激光器研究的團隊，曾先后攻破關鍵核心技術，研制出國內(nèi)首顆氮化鎵基藍光和綠光激光器芯片，填補國內(nèi)在氮化鎵的藍綠光激光器領域的空白，研發(fā)成果和技術水平國內(nèi)領先、國際一流。目前團隊研制的綠光激光器光功率已達1.2W，處于國際先進水平。大功率藍光激光器光功率已達7.5W，達到國際一流水平。

     鎵銳芯光旨在成為國內(nèi)第一、國際一流的氮化鎵基激光器芯片IDM企業(yè)，自主掌握外延設計與材料生長、芯片設計與制造、封裝與測試等全流程設計和工藝制造能力，用技術創(chuàng)新推進中國激光產(chǎn)業(yè)鏈的完整性、領先性。


▲中科院蘇州納米所劉老師帶團隊在長光華芯工藝線

     在長光華芯成熟的半導體激光器芯片IDM運行經(jīng)驗和鎵銳芯光團隊頂尖的技術能力的強強聯(lián)合下，鎵銳芯光必將大大加速國產(chǎn)氮化鎵激光器芯片的產(chǎn)業(yè)化進程，預計2023年底完成藍光、綠光芯片產(chǎn)品的工程樣片和種子客戶驗證，2024年建成國內(nèi)最大的氮化鎵激光器芯片量產(chǎn)線并實現(xiàn)包括紫光芯片在內(nèi)的全系列產(chǎn)品量產(chǎn)出貨，助力氮化鎵激光器產(chǎn)業(yè)高速、高質(zhì)量發(fā)展。

激光聚會2023主題演講：《GaN激光器研究進展與應用》

     7月11日，慕尼黑上海光博會展館內(nèi)，蘇州鎵銳芯光科技有限公司董事長/總經(jīng)理/研究員劉建平博士在激光技術持續(xù)賦能智能制造論壇上做題為《GaN激光器研究進展與應用》主題演講。



     基于自發(fā)輻射發(fā)光的GaN基藍光LED已經(jīng)得到廣泛應用，其發(fā)明者被授予 2014 年諾貝爾物理學獎�；�于受激輻射的氮化鎵基激光器也是重要的光電子器件，在激光顯示、激光加工、量子信息、水下通信和探測成像等領域有重要的應用前景。

     報告介紹了鎵銳芯光在氮化鎵基激光器的研究進展，包括氮化鎵基半導體和ITO透明導電層為光限制層的復合光腔結構GaN基激光器的設計和制備，以及其在提高激光器性能方面的優(yōu)勢；介紹了激光器增益區(qū)多量子阱結構設計和材料外延生長，特別是大應變綠光多量子阱有源區(qū)的缺陷抑制方法，高量子效率和高均勻綠光有源區(qū)生長技術等。因為在器件設計和外延生長等方面的進展，我們研制出大功率激光器，綠光激光器的閾值為1.8 kA/cm2，斜率效率為0.8 W/A，在2A電流下，光功率達到1.2W；連續(xù)電流注入下工作，藍光激光器最大連續(xù)工作光功率達到7.5W。