3/30/2015，光纖在線訊，在第40屆美國(guó)光纖通訊展覽會(huì)及研討會(huì)（OFC）上，長(zhǎng)飛光纖光纜股份有限公司發(fā)布了最新研發(fā)成功的全貝®超強(qiáng)（FullBand® Ultra）G.652光纖和遠(yuǎn)貝®超強(qiáng)（FarBand® Ultra）G.654光纖。這兩種新型光纖均采用了長(zhǎng)飛公司的純硅芯技術(shù)和下陷包層技術(shù)，具有超低衰減和彎曲不敏感性能。

    低衰減、抗彎曲和大有效面積是目前通信單模光纖的主流發(fā)展趨勢(shì)，長(zhǎng)飛兩款新的光纖產(chǎn)品引領(lǐng)了這一潮流，為現(xiàn)網(wǎng)及未來400Gb/s及以上光纖傳輸網(wǎng)絡(luò)提供了光纖解決方案。長(zhǎng)飛公司已成為世界屈指可數(shù)、國(guó)內(nèi)首家掌握超低衰減光纖技術(shù)的企業(yè)，邁入了光纖技術(shù)全球領(lǐng)先者的行列。

    長(zhǎng)飛遠(yuǎn)貝®超強(qiáng)G.654光纖指標(biāo)滿足或優(yōu)于ITU-T G.654.B標(biāo)準(zhǔn)，1550nm衰減典型值為0.165dB/km，1550nm有效面積典型值為110μm2，宏彎性能優(yōu)于ITU-T G.657.A1標(biāo)準(zhǔn)。全貝®超強(qiáng)G.652光纖1550nm衰減典型值為0.167dB/km，宏彎性能優(yōu)于ITU-T G.657.A1標(biāo)準(zhǔn)，并與G.652.D兼容。

    未來的光纖通信系統(tǒng)的傳輸距離受限于OSNR，具有超低衰減的全貝®超強(qiáng)G.652光纖和遠(yuǎn)貝®超強(qiáng)G.654光纖相對(duì)于普通單模光纖可以有效提升該項(xiàng)指標(biāo)，而具有超低衰減和大有效面積的遠(yuǎn)貝®超強(qiáng)G.654光纖效果更優(yōu)。因此，這兩款光纖產(chǎn)品的適時(shí)推出將解決現(xiàn)有及未來高速光網(wǎng)絡(luò)所面臨的諸多問題，降低網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)和運(yùn)行成本。