10/21/2014,昨天在上海漕河涇，編輯遇到硅光電子技術(shù)的國際領(lǐng)先公司SiFotonics的光業(yè)務(wù)市場VP黃水清和銷售/營運VP劉華博士。他們向編輯介紹了SiFotonics在硅光子探測器領(lǐng)域的新進展。

    今年3月的OFC上，編輯曾經(jīng)采訪SiFotonics的CEO 潘棟博士(http://m.dsfruit.com/news/content/5/201403/20140325162747.html)。潘博士當(dāng)時重點向編輯介紹該公司基于鍺硅材料的硅光PD和APD產(chǎn)品。那次采訪令編輯印象最深的就是SiFotonics的團隊在研發(fā)硅光子器件方面的深厚背景，以及潘博士對硅光子器件的信心。
也是在OFC上，SiFotonics曾經(jīng)向編輯透露他們的硅光探測器在國內(nèi)10G 光模塊市場上的進展。這一次遇到SiFotonics的兩位高層，他們告訴編輯，目前公司產(chǎn)品在市場上的進展令人滿意，部分產(chǎn)品已經(jīng)進入批量供貨階段。

    相較于傳統(tǒng)InP器件，硅光探測器的短板正在被補足，優(yōu)勢正在逐步凸顯。黃水清告訴編輯，在他看來，硅光子探測器至少具有五大優(yōu)勢。第一，增益帶寬性能突出，尤其是在高速應(yīng)用下。未來的25Gbps速率應(yīng)用中，硅光子探測器的靈敏度優(yōu)勢會更加明顯。這得益于硅材料優(yōu)異的雪崩特性所帶來的極低噪聲。第二，對于困擾現(xiàn)在許多光器件廠商的氣密封裝問題，鍺硅材料不存在InP材料的怕水汽問題，可以在很大程度上降低光器件對封裝的氣密性要求。第三，基于半導(dǎo)體CMOS工藝的鍺硅探測器一致性更好，這也是原先InP器件所不足的。第四，批量成本低，這是硅光子技術(shù)發(fā)展動力。第五，硅晶圓機械特性很好，成品率高，適合大尺寸陣列和未來的光集成。實際上，第三條一致性和第五條，都是針對陣列和集成應(yīng)用。黃水清告訴編輯，雖然基于鍺硅工藝的硅光子探測器的性能和InP材料探測器還有點細微差別，但是在實際應(yīng)用中已經(jīng)可以忽略不計，而這些器件的獨特優(yōu)勢卻是InP材料器件所不具有的。這也是SiFotonics獲得客戶更多認(rèn)可的根本原因。

    劉華博士告訴編輯，SiFotonics的技術(shù)源于MIT，總部設(shè)在美國Boston，主要團隊包括了多名國內(nèi)外業(yè)界精英。在SiFotonics內(nèi)部，有著濃厚的研發(fā)氛圍，他們經(jīng)常會為器件性能的點滴進步而歡呼慶祝。成立7年以來，SiFotonics的硅光子器件的性能一直在穩(wěn)定提升，所開發(fā)的10G和25G產(chǎn)品全線接近或達到傳統(tǒng)的InP探測器水平，部分產(chǎn)品性能已經(jīng)實現(xiàn)超越，例如1310nm波段的10G/25G PIN-PD/APD。劉博士說，Sifotonics從成立之初就致力于硅光電子的集成，也開發(fā)了在硅上生長激光器的專利技術(shù)。但為了讓硅光電子盡快進入實用，SiFotonics同時也注重分立器件，尤其是鍺硅探測器的開發(fā)和產(chǎn)品化，，這一策略在市場上已經(jīng)獲得了積極反響。劉博士說，有為了開發(fā)出性能最佳的鍺硅探測器，以及保證批量生產(chǎn)能力，SiFotonics還耗巨資投資了專門的設(shè)備。技術(shù)優(yōu)勢，投資優(yōu)勢，市場優(yōu)勢，已經(jīng)讓SiFotonics至少領(lǐng)先對手2年以上。

    在今年9月召開的ECOC會上，SiFotonics介紹了全球首個1310nm 25Gbps基于CMOS工藝的鍺硅材料垂直入射的APD產(chǎn)品，性能達到國際領(lǐng)先水平，得到了國際與會專家和業(yè)界人士的高度評價。這篇文章正是SiFotonics在硅光子探測器領(lǐng)域領(lǐng)先實力的真實體現(xiàn)。